PTT
網頁版
登入/註冊
新聞
熱門文章
熱門看板
看板列表
作者查詢
最新文章
我的收藏
最近瀏覽
看板名稱查詢
批踢踢 PTT 搜尋引擎
看板
[
Physics
]
討論串
[問題] 半導體energy gap
共 2 篇文章
排序:
最新先
|
最舊先
|
留言數
|
推文總分
內容預覽:
開啟
|
關閉
|
只限未讀
首頁
上一頁
1
下一頁
尾頁
#2
Re: [問題] 半導體energy gap
推噓
1
(1推
0噓 0→
)
留言
1則,0人
參與
,
最新
作者
csddd
(csddd)
時間
17年前
發表
(2009/03/09 00:21)
,
編輯
資訊
0篇文章回應此文
0
內文有0個圖片
image
0
內文有0個連結
link
0
內容預覽:
針對半導體而言,一般來說. 溫度上升,晶格膨脹, lattice constant 變大,. anti-bonding 變弱,因此 energy gap 變小. 載子靠著 thermal energy 更容易跳到 conduction band. 因此半導體的導電度也隨著溫度上升而上升。(當然還有其
#1
[問題] 半導體energy gap
推噓
4
(4推
0噓 11→
)
留言
15則,0人
參與
,
最新
作者
h816090
(~Do or not do~)
時間
17年前
發表
(2009/03/06 19:54)
,
編輯
資訊
0篇文章回應此文
0
內文有0個圖片
image
0
內文有0個連結
link
0
內容預覽:
想問一下半導體energy gap與溫度之關係..... 老師上課是說溫度越高...熱能越大...gap越小.... 總覺得怪怪的.... 以前看一本書是說溫度升高....熱能增加..... 晶格熱振動導致載子不易往上跳??. 溫度和gap有絕對關係嗎?? 謝謝. --.
※
發信站:
批踢踢實業坊
首頁
上一頁
1
下一頁
尾頁