討論串[問題] 半導體energy gap
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推噓1(1推 0噓 0→)留言1則,0人參與, 最新作者csddd (csddd)時間17年前 (2009/03/09 00:21), 編輯資訊
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針對半導體而言,一般來說. 溫度上升,晶格膨脹, lattice constant 變大,. anti-bonding 變弱,因此 energy gap 變小. 載子靠著 thermal energy 更容易跳到 conduction band. 因此半導體的導電度也隨著溫度上升而上升。(當然還有其

推噓4(4推 0噓 11→)留言15則,0人參與, 最新作者h816090 (~Do or not do~)時間17年前 (2009/03/06 19:54), 編輯資訊
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想問一下半導體energy gap與溫度之關係..... 老師上課是說溫度越高...熱能越大...gap越小.... 總覺得怪怪的.... 以前看一本書是說溫度升高....熱能增加..... 晶格熱振動導致載子不易往上跳??. 溫度和gap有絕對關係嗎?? 謝謝. --. 發信站: 批踢踢實業坊
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