Re: [問題] 一些半導體物理的疑問
有錯請糾正 或補充
※ 引述《newwrite (jikk)》之銘言：
: 1.功函數和電子親和力在物理的解釋上有甚麼差別呢?
: 功函數Ef到真空能階差 電子親和力是Ec到真空能階差
第一次看到功函數的地方就是光電效應，用多少頻率的光可以把材料裡的電子
打出電子表面，功函數就是代表這電位差
至於為什麼是這個能量， 參考Fermi-Dirac Distribution，
理想上T=0 或是溫度很低 電子幾乎都在低能量狀態
(不可以有外在能量干擾，熱和非實驗用的光影響到樣品)，
在此狀況下可以打出電子的能量，功函數!!!
最外層電子所具有能量...
電子親和力關乎 最外層電子的交互作用力...
: 那物理上的差別是在哪呢?
: 2.在本質半導體中 費米能階會出現在能隙中央
: 但是費米能階定義為出現電子為50%機率的能階
看Feri-Dirac Distribution，
或是 有高手可以證明說明 這個方程式怎麼得出來的嗎?!!!!
請提供PAPER出處 (如果有PAPER的話)
: 那麼能隙中可能出現電子?
電子經過激發後，可以有它被激發後的能量 只是激發狀態持不持久
如果能隙沒有提供一個空缺給激發的電子，電子只能往下填補，
不過通常會存在 Defect， 這時能隙有可能會有LEVEL提供電子填補
你應該在看一下電子的 Generation-Recombination
: 在定義電流時能隙中也會有電流嗎?
載子 Carrier，電子可在材料中移動或是填補空缺，
這...可被電場induce出 Drift, Diffusion current， 這看書可以知道
至於 你的樣品結構特殊， Tunneling current可是需要考慮的
: 想了很久想不出來 可能是我觀念還不很正確吧
: 好像都是定義上的問題
: 煩請各位解答 謝謝!
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 220.132.97.24
推
08/30 22:49, , 1F
08/30 22:49, 1F
→
08/31 00:48, , 2F
08/31 00:48, 2F
→
08/31 00:53, , 3F
08/31 00:53, 3F
→
08/31 01:40, , 4F
08/31 01:40, 4F
→
08/31 01:41, , 5F
08/31 01:41, 5F
→
08/31 01:41, , 6F
08/31 01:41, 6F
→
08/31 01:42, , 7F
08/31 01:42, 7F
→
08/31 01:44, , 8F
08/31 01:44, 8F
→
08/31 17:28, , 9F
08/31 17:28, 9F
→
08/31 17:29, , 10F
08/31 17:29, 10F
→
08/31 17:29, , 11F
08/31 17:29, 11F
→
08/31 17:30, , 12F
08/31 17:30, 12F
→
08/31 17:31, , 13F
08/31 17:31, 13F
→
08/31 17:32, , 14F
08/31 17:32, 14F
→
08/31 17:33, , 15F
08/31 17:33, 15F
→
08/31 17:33, , 16F
08/31 17:33, 16F
→
08/31 17:34, , 17F
08/31 17:34, 17F
討論串 (同標題文章)