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討論串[問題] 一些半導體物理的疑問
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#3
Re: [問題] 一些半導體物理的疑問
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者wqert (衝衝衝)時間17年前 (2008/08/30 23:06), 編輯資訊
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答覆你第二個問題：. 費米能階的確是有50%機率 填電子的energy level.. 但是光根據這一陳述並不能決定有多少電子. 因為你還不知道有多少數量的energy level在費米能階附近.. 請把能階密度的函數，N(E)dE 乘上 費米分佈 f(E). 才能描述電子數量對能量的分佈.. 相關
(還有52個字)
#2
Re: [問題] 一些半導體物理的疑問
推噓1(1推 0噓 16→)留言17則，0人參與, 最新作者sixth (衝向世界的最高峰)時間17年前 (2008/08/30 19:21), 編輯資訊
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有錯請糾正 或補充第一次看到功函數的地方就是光電效應，用多少頻率的光可以把材料裡的電子打出電子表面，功函數就是代表這電位差. 至於為什麼是這個能量， 參考Fermi-Dirac Distribution，. 理想上T=0 或是溫度很低 電子幾乎都在低能量狀態. (不可以有外在能量干擾，熱和非實驗用的
(還有312個字)
#1
[問題] 一些半導體物理的疑問
推噓1(1推 0噓 1→)留言2則，0人參與, 最新作者newwrite (jikk)時間17年前 (2008/08/29 23:28), 編輯資訊
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1.功函數和電子親和力在物理的解釋上有甚麼差別呢?. 功函數Ef到真空能階差 電子親和力是Ec到真空能階差. 那物理上的差別是在哪呢?. 2.在本質半導體中 費米能階會出現在能隙中央. 但是費米能階定義為出現電子為50%機率的能階. 那麼能隙中可能出現電子?. 在定義電流時能隙中也會有電流嗎?. 想
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