[問題] 關於Schottcky barrier

看板Physics作者 (go)時間17年前 (2008/05/07 20:01), 編輯推噓0(005)
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日前在這學期的必修課 Seminar 選報了GIT 材料系王中林老師的paper 裡面有提到所謂的Schottcky barrier 在下對順向偏壓or逆向偏壓下操作的Schottcky barrier 為什麼金屬對n-type半導體 在偏壓操作下似乎看起來半導體的Fermi level 受偏壓的影響較大 而金屬的Fermi level 變動就不大 請問板上的各位先進 謝謝^__^ -- 如果將字母 A 到 Z 分別編上 1 到 26 的分數,(A=1,B=2...,Z=26) 你的知識(KNOWLEDGE)得到 96 分(11+14+15+23+12+5+4+7+5=96) 你的努力(HARDWORK)也只得到 98 分(8+1+18+4+23+15+18+11=98) 你的態度(ATTITUDE)才是左右你生命的全部(1+20+20+9+20+21+4+5=100 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 140.112.185.216

05/07 22:44, , 1F
上禮拜上的課,教授說電子"海"!~丟過去幾個也沒差多少~
05/07 22:44, 1F

05/08 09:50, , 2F
請問有更明確的說明方式嗎
05/08 09:50, 2F

05/08 19:50, , 3F
偏壓->空乏區變寬or變小 金屬的電子濃度遠大於n-type
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所以在偏壓改變下,半導體的fermi level改變較大
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05/08 19:52, , 5F
我想是這樣 有錯請指正@@!
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文章代碼(AID): #188PegAJ (Physics)
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