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討論串[問題] 關於Schottcky barrier
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Re: [問題] 關於Schottcky barrier
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者richie.時間17年前 (2008/05/09 11:01), 編輯資訊
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※ 引述《ymr.bbs@ptt.cc (go)》之銘言： 電子密度不同 一個Ef絕對值是幾個電子伏另一個在tens of mV. --. ※ 發信站: 深太空九號(ds9.twbbs.org). ◆ From: 69.252.180.86.
#1
[問題] 關於Schottcky barrier
推噓0(0推 0噓 5→)留言5則，0人參與, 最新作者ymr (go)時間17年前 (2008/05/07 20:01), 編輯資訊
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日前在這學期的必修課 Seminar. 選報了GIT 材料系王中林老師的paper. 裡面有提到所謂的Schottcky barrier. 在下對順向偏壓or逆向偏壓下操作的Schottcky barrier. 為什麼金屬對n-type半導體. 在偏壓操作下似乎看起來半導體的Fermi level
(還有170個字)
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