Re: [題目] 很容易就到激發態阿??

看板Physics作者 (桐思呢喃)時間18年前 (2008/02/22 20:27), 編輯推噓1(104)
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※ 引述《socu (so cute)》之銘言: : [領域]近物 : [來源]大腦一時轉不過來 : 可見光光子能量約12400/4000A=3ev : 矽的gap 1.1ev 金屬鍵約1ev 分子振動能階約0.1ev : 所以應該在可見光下很容易就到比較高能階阿 : 何必考慮室溫下只有0.025eV 所以一般情況很難到激發態(或者說很容易居量反置) : 或者說矽必須打入uv才能讓電子從valenced band 到導帶 : 無法理解阿.... Silicon 的 indirect bandgap (Χ-band) 是 1.1 eV 沒錯 但 direct bandgap (Γ-band) 是 3.4 eV 所以大致來說要 3.4 eV 以上的 UV 光才能有效地激發 pure silicon 只有 strained Si 或 Si/Ge 才能讓能帶偏移而降低直接能隙 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 118.168.46.129

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一般而言,都是用雜質激發吧,也就是混合一些三五族的元
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素,所以異質接面磊增光半導體,便是極為有效率的一種方
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法,但是如何控制間接能隙,我還是不了解try數據的方法,
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我只能想到用sputtering,但是只會基本操作,也可謂忘了
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差不多,是在打電漿的部份嗎???
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