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討論串[題目] 很容易就到激發態阿??
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#4
Re: [題目] 很容易就到激發態阿??
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者AyeTemplar (桐思呢喃)時間18年前 (2008/02/23 19:19), 編輯資訊
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我也有個疑問耶. 通常會提到 thermal population 是在沒有 external excitation 的情況. 請問你指的可見光是"背景光"的意思嗎？. 你想了解的是否為，為何麼一塊直接能隙 1.0 eV 左右的材料. 沒有辦法因為背景光而 population inversion？
(還有219個字)
#3
Re: [題目] 很容易就到激發態阿??
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者socu (so cute)時間18年前 (2008/02/23 09:27), 編輯資訊
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感謝你的回答 我大概了解了. 其實我的問題不只有半導體. 很多能階差不都是1電子伏特嗎. 那有可見光的地方應該容易就居量反置阿. 可是書上提的都是kt=1ev 需要~10000F. 所以很難到激發態. 觀念就卡在這邊. --. ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc). ◆ From: 124.8
#2
Re: [題目] 很容易就到激發態阿??
推噓1(1推 0噓 4→)留言5則，0人參與, 最新作者AyeTemplar (桐思呢喃)時間18年前 (2008/02/22 20:27), 編輯資訊
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Silicon 的 indirect bandgap (Χ-band) 是 1.1 eV 沒錯. 但 direct bandgap (Γ-band) 是 3.4 eV. 所以大致來說要 3.4 eV 以上的 UV 光才能有效地激發 pure silicon. 只有 strained Si 或 Si/
#1
[題目] 很容易就到激發態阿??
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者socu (so cute)時間18年前 (2008/02/22 17:07), 編輯資訊
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[領域]近物. [來源]大腦一時轉不過來. 可見光光子能量約12400/4000A=3ev. 矽的gap 1.1ev 金屬鍵約1ev 分子振動能階約0.1ev. 所以應該在可見光下很容易就到比較高能階阿. 何必考慮室溫下只有0.025eV 所以一般情況很難到激發態(或者說很容易居量反置). 或者說矽
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