[問題] 對半導體做快速退火的動作
請問
若把一塊poly或amorphous的半導體
四周用amorphous的insulator包起來
然後利用快速退火爐 以每秒升溫100度 把溫度升到半導體的熔點以上10度
溫度維持個兩秒 然後就急速降溫 大概是每秒50度
這樣子處理後的半導體 晶格狀態會是如何呢??
我覺得應該會是amorphous
因為半導體週遭的insulator的晶格大小和半導體的差太多
熔融狀態下的半導體沒有可以seeding的地方 只能自己做排列
而時間又不夠 一般做熱處理都要好幾個小時
只有兩秒鐘 才剛熔融的半導體還來不及去重整晶格 就被降溫了
所以應該是amorphous
請問這樣子的想法是正確的嗎?
謝謝!!
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