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討論串[問題] 對半導體做快速退火的動作
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#3
Re: [問題] 對半導體做快速退火的動作
推噓1(1推 0噓 0→)留言1則，0人參與, 最新作者newwork (死了都要愛)時間18年前 (2008/01/03 12:17), 編輯資訊
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你好. 請問微波共振腔 和電漿處理表面. 是指在退火的過程中 一起執行嗎?. 謝謝!!. --. ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc). ◆ From: 140.112.231.112.
#2
Re: [問題] 對半導體做快速退火的動作已刪文
推噓0(0推 0噓 2→)留言2則，0人參與, 最新作者hydrasmith31 (或許死亡才是最好的解脫)時間18年前 (2008/01/01 22:37), 編輯資訊
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答案是. 會破裂. 除非你用微波共振腔處理. 或者用電漿處理表面. 否則那麼快的溫度之下. 一般的退火爐都會使樣本破裂. --. ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc). ◆ From: 218.170.1.45.
#1
[問題] 對半導體做快速退火的動作
推噓1(1推 0噓 1→)留言2則，0人參與, 最新作者newwork (死了都要愛)時間18年前 (2008/01/01 18:19), 編輯資訊
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請問. 若把一塊poly或amorphous的半導體. 四周用amorphous的insulator包起來. 然後利用快速退火爐 以每秒升溫100度 把溫度升到半導體的熔點以上10度. 溫度維持個兩秒 然後就急速降溫 大概是每秒50度. 這樣子處理後的半導體 晶格狀態會是如何呢??. 我覺得應該會是
(還有71個字)
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