Re: [問題] 關於revise的問題(有關PL XRD )
小弟不才 領域與你相似
僅就與reviewer攻防的角度回答你
※ 引述《REGEIJI (保鮮膜一哥)》之銘言：
: 我想 這個板上臥虎藏龍
: 說不定可以集思廣益 化不可能為可能
: 事情是這樣子的 日前收到了PAPER的revise (major revise)
: 兩位reviewer 其中一位真的佛心來著 只是指出了幾個問題 要我修改過就OK
: 也給了滿分四分的評價
: 可是另一位就沒有這麼好過了 她直接建議reject 評價 兩分
: 其中讓我最困惑的 就是他講的這段話
: " There are no any evidences showing stacking faults,
: threading dislocations, Ga-vacancies, and N-vacancies from the present
: experimental information."
: 我的問題是 我的PAPER裡面 我有利用XRD Omeha-2theta scan 來證明stacking faults的
: 改進 也利用了XRD Omega scan 來證明了 threading dislocations 的改進
: 而Ga-vacancies, and N-vacancies 則是由PL的缺陷發光來證實有減少
: 但是reviewer卻認為 沒有足夠證據證明這些東西的存在.......
他講得沒錯
你提的實驗都是非直接證據 僅證明crystal quality確實改善
但我認為stacking faults,threading dislocations減少的直接證據應為
TEM或是EPD
而PL缺陷發光也不是Ga-vacancies, and N-vacancies的直接證據
像我這種懶得補實驗的人
就會將reviewer提到的重點找出引用數很多或是大咖的paper做佐證
或是適當修改文章的說詞
比方說多用"可能與XX相關"的口氣去說明 才不會被打死
我覺得只要回答夠有誠意 應該不用補實驗也能被accept
: 可是一般的PAPER 都是利用這些實驗來證實這些缺陷存在的阿.....
: 想請問有經驗的前輩 這樣我該怎麼處理? 如果說我是對的話?
: 如果我是錯的話 我想應該沒救了 stacking fault 以及threading dislocation 可以用
: TEM來佐證 可是......Ga-vacancies 除了用PL推測 我還真的想不出要用什麼證明阿....
: 以上 不知道各位有沒有什麼錦囊妙計可供參考....感恩
加油
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 118.169.33.115
→
05/10 03:47, , 1F
05/10 03:47, 1F
→
05/10 03:47, , 2F
05/10 03:47, 2F
推
05/10 08:46, , 3F
05/10 08:46, 3F
討論串 (同標題文章)
本文引述了以下文章的的內容：
完整討論串 (本文為第 2 之 2 篇)：