[情報] 三星搶先業界量產第2代 1y 奈米製程 DRAM

看板PC_Shopping作者 (ejrq5785)時間6年前 (2017/12/20 22:05), 編輯推噓18(20212)
留言34則, 20人參與, 6年前最新討論串1/1
消息來源:TechNews 完整標題:三星宣布搶先業界量產第二代 1y 奈米製程 DRAM 內文: https://imgur.com/xsaYkbF
南韓科技大廠三星 20 日宣布,已經開始量產第二代的 1y 奈米製程的 DRAM 產品。三星 表示,該項 DRAM 產品為 8Gb 的 DDR4 DRAM 第二代產品。相較於上一代產品來說,新 的 8Gb DDR4 具有 8Gb DRAM 記憶體中最高的性能和耗能效率,另外還有更小的面積尺寸 。 三星進一步指出,透過開發 DRAM 的電路設計和製程技術創新,三星已經突破了 DRAM 擴 展性的主要障礙。透過第二代 1y 奈米製程生產的 DRAM 快速成長,三星將更加積極地擴 展整體的 1y 奈米製程程的 DRAM 產品產能,以因應強勁的市場需求,並繼續加強三星的 業務競爭力。 https://imgur.com/8gQytez
據了解,三星的第二代 1y 奈米製程所生產的 8Gb DDR4,比第一代 1y 奈米製程的 8Gb DDR4 DRAM 在生產效率上提高了近 30%。此外,由於採用了先進的專有電路設計技術,新 的 8Gb DDR4 的性能水準和功耗分別提高了約 10% 和 15%。另外,新的 8Gb DDR4 每個 引腳可以以每秒 3,600 Mbps 的速度運行,比第一代 1y 奈米製程的 8Gb DDR4 DRAM 的 3,200 Mbps 速度,提升了超過 10%。 三星進一步表示,為了達成這些成績,三星應用了新技術,包括了使用高靈敏度的細胞數 據傳感系統和漸進的 「空氣間隔」 方案,但是並沒有使用 EUV 技術。而在第二代 1y 奈米製程所生產的 8Gb DDR4 的每個單元中,新設計的數據感測系統可以更準確地確定每 個單元中儲存的數據,進而顯著提高電路整合度和製造效率。 https://imgur.com/5rICmHy
目前在全球 DRAM 三大廠中,包括三星及美光都在 2016 年陸續導入 10 奈米等級製程, 而 SK 海力士則是到 2017 年中之後才開始逐步進入 10 奈米等級製程。不過,根據之前 所傳出的消息,三星與美光兩家公司在導入 10 奈米等級製程的過程並不順利,都先後出 現過相關產品有瑕疵而召回的情況,而這也是自 2016 年中以來 DRAM 市場一直供不應求 、價格節節攀升的原因之一。如今,在三星第二代 10 奈米等級製程的 DRAM 產品量產下 ,是否能逐步滿足市場的需求,業界人士都在密切關注著。 (首圖來源:三星官網) 來源網址:https://goo.gl/jD7sMX 備註: Samsung NewsRoom:https://goo.gl/2oUQye -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 218.166.128.249 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/PC_Shopping/M.1513778752.A.D31.html

12/20 22:09, 6年前 , 1F
1y是什麼意思0.0?
12/20 22:09, 1F

12/20 22:15, 6年前 , 2F
持續漲價
12/20 22:15, 2F

12/20 22:17, 6年前 , 3F
1x nm的意思吧
12/20 22:17, 3F

12/20 22:18, 6年前 , 4F
dram跟sram不太一樣 好像跟製程比較沒太大關係
12/20 22:18, 4F

12/20 22:29, 6年前 , 5F
再漲一年的意思
12/20 22:29, 5F

12/20 22:29, 6年前 , 6F
c52是指哪方面? 功耗有差吧
12/20 22:29, 6F

12/20 22:31, 6年前 , 7F
c52還不快開屁屁瘩出來玩
12/20 22:31, 7F

12/20 22:33, 6年前 , 8F
產能開不出來不就是每家都轉1x nm 結果每家都卡良率
12/20 22:33, 8F

12/20 22:37, 6年前 , 9F
dram 功耗??
12/20 22:37, 9F

12/20 22:37, 6年前 , 10F
dram比較在意的是密度吧 要CD
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12/20 22:38, 6年前 , 11F
pipida還沒到門檻啊 之後把
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12/20 23:17, 6年前 , 12F
1x=>1y=>1z 基本上就是1xnm的第幾代
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12/20 23:26, 6年前 , 13F
SRAM的電晶體比DRAM多
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12/21 00:11, 6年前 , 14F
密度有差啊 只是DRAM除非你能一顆多塞一倍 不然哪
12/21 00:11, 14F

12/21 00:11, 6年前 , 15F
來的差別?
12/21 00:11, 15F

12/21 00:33, 6年前 , 16F
可是你縮製程電晶體放電速度變快 你要搞裡面的電容
12/21 00:33, 16F

12/21 00:33, 6年前 , 17F
在搞重新寫入的記憶區塊都會比較難吧
12/21 00:33, 17F

12/21 00:38, 6年前 , 18F
是沒錯 但是那跟不吃製程沒關係啊...
12/21 00:38, 18F

12/21 00:43, 6年前 , 19F
線寬變小放電不就變快 dram有一側是接地耶
12/21 00:43, 19F

12/21 00:47, 6年前 , 20F
沒記錯的話簡單來說DRAM裡面是電容 SRAM是正反器
12/21 00:47, 20F

12/21 01:19, 6年前 , 21F
遇到的困難點不同的問題而已啊...密度要高還是只能
12/21 01:19, 21F

12/21 02:46, 6年前 , 22F
2三星詐騙集團
12/21 02:46, 22F

12/21 08:23, 6年前 , 23F
成本更省,售價更高。
12/21 08:23, 23F

12/21 09:54, 6年前 , 24F
1x 17-19nm;1y 15nm;1z 11-14nm
12/21 09:54, 24F

12/21 10:17, 6年前 , 25F
感謝提供資訊
12/21 10:17, 25F

12/21 10:22, 6年前 , 26F
翻譯: 新東西效能更好,該漲價囉~
12/21 10:22, 26F

12/21 10:51, 6年前 , 27F
定義是錯的 各家對10nm class的定義其實都不太一樣
12/21 10:51, 27F

12/21 12:47, 6年前 , 28F
度的 只看pitch size
12/21 12:47, 28F

12/21 13:32, 6年前 , 29F
繼續開發 新東西賺錢
12/21 13:32, 29F

12/21 14:38, 6年前 , 30F
nand的發展順序 1ynm,19nm, 1znm, 15nm, 14nm
12/21 14:38, 30F

12/21 14:39, 6年前 , 31F
所以1ynm 1znm 實際是什麼製程 沒有明確答案吧
12/21 14:39, 31F

12/22 07:34, 6年前 , 32F
抗議記憶體漲價,拒買三星所有品牌產品
12/22 07:34, 32F

12/22 15:20, 6年前 , 33F
那樓上連智慧型手機跟無線分享器都不要買啊
12/22 15:20, 33F

12/22 18:26, 6年前 , 34F
三星是記憶體霸主,到處都有它的零件
12/22 18:26, 34F
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