[情報] DRAM掰掰,次世代記憶體換MRAM、PRAM當家

看板PC_Shopping作者時間8年前 (2016/07/13 17:53), 編輯推噓31(31024)
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DRAM掰掰,次世代記憶體換MRAM、PRAM當家? http://goo.gl/RWvwU2 MoneyDJ新聞 2016-07-11 14:32:27 記者 陳苓 報導 DRAM發展快到盡頭,磁性記憶體(MRAM)和相變記憶體(PRAM)是最有潛力的接班人?IBM和 三星電子最近宣稱,「自旋傳輸磁性記憶體(STT-MRAM)」的研究出現突破,有望加速走上 商用之途。 韓媒BusinessKorea 11日報導,IBM和三星在電機電子工程師學會(IEEE) 發布研究論文宣 稱,兩家公司攜手研發的STT-MRAM的生產技術,成功實現10奈秒(nanosecond)的傳輸速度 和超省電架構,理論上表現超越DRAM。 STT-MRAM藉著改變薄膜內的電子旋轉方向、控制電流,表現效能和價格競爭力都優於DRAM 。最重要的是,DRAM很難微縮至10奈米以下,STT-MRAM則沒有此一困擾。業界人士表示, STT-MRAM是次世代記憶體中最實際的替代方案,95%的現行DRAM生產設備皆可用於製造 STT-MRAM。IBM和三星之外,SK海力士(SK Hynix)和東芝(Toshiba)也協力研發此一技術。 除了STT-MRAM,近來相變記憶體(PRAM)也備受矚目,英特爾的3D Xpoint就包含PRAM技術 。PRMA結合DRAM和NAND Flash優點,速度和耐用性提高1千倍,不過目前仍在理論階段。 去年7月29日英特爾、美光宣布開發出新世代記憶體技術「3D Xpoint」,儲存的資料比 DRAM高出十倍,讀寫速度與耐受度更是NAND型快閃記憶體的1千倍之多,如此革新的技術 讓三星電子、SK Hynix大為緊張。3D XPoint類似次世代ReRAM或PRAM科技,能完全改變資 料儲存的方式,半導體專家相信,自從東芝在1987年首次展示NAND型快閃記憶體之後, 3D XPoint會是這30年間一個相當重要的變革。 韓媒BusinessKorea去年6月報導,南韓半導體業者指出,16奈米將是DRAM微縮製程的最後 極限,10 奈米以下製程需要縮小電晶體體積,但是薄膜厚度卻無法縮減,也可能不適合 採用高介電常數(High-K)材料和電極。MRAM和ReRAM因此備受期待,認為可以取代DRAM 和NAND Flash,業者正全力研發。 --------------------------------------------------------------------------- STT-MRAM 3D XPoint IBM+三星+SK海力士+東芝 VS 英特爾+美光 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 114.32.124.13 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/PC_Shopping/M.1468403609.A.0DB.html

07/13 17:54, , 1F
新技術 但標題下太爛 給箭頭
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07/13 17:54, , 2F
台廠:請給我技術
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07/13 17:55, , 3F
等量產再說
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07/13 17:56, , 4F
有IBM的加入不是代表某flag立起來了嗎XD
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07/13 17:56, , 5F
$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$
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TSMC的MRAM呢?
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07/13 17:57, , 7F
教主認證的半導體界的嘴砲咖
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07/13 18:01, , 8F
炒股票
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07/13 18:03, , 9F
有IBM那團就GG惹...先幫QQ
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07/13 18:07, , 10F
都還沒量產就說掰掰...
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07/13 18:07, , 11F
這東西看起來對家機很有用,SONY不考慮參一腳嗎?XD
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07/13 18:08, , 12F
DRAM這種不成材的東西 真的可以OUT了
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07/13 18:09, , 13F
五年後能量產再說
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07/13 18:09, , 14F
IBM跟INTEL...。 IBM好像比較雷...
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07/13 18:13, , 15F
Intel中離也不是沒有前科
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07/13 18:16, , 16F
RRAM呢QQ
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07/13 18:17, , 17F
STT-MRAM不是更該簡稱為SRAM嗎~~
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07/13 18:20, , 18F
台廠沒專利又要吃屎了?
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07/13 18:24, , 19F
有養老院 要難產了嗎
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07/13 18:32, , 20F
一個產品已經準備上了,一個還在嘴砲連實物都看不到
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07/13 18:32, , 21F
所以要幾年我們才用的到?
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07/13 18:32, , 22F
IBM跟INTEL的差異在於 IBM東西只在實驗室
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07/13 18:32, , 23F
INTEL的東西找下游一起搞 然後就中離不玩
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07/13 18:35, , 24F
還久的勒 哪這麼走說掰掰
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07/13 18:39, , 25F
INTEL應該不會再RAM上面輸第二次吧?
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07/13 18:40, , 26F
看來dram還能撐十年
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07/13 18:57, , 27F
只要不能量產,說再多都是屁
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07/13 19:16, , 28F
想取代 必須速度快DRAM十倍以上 還要解決傳輸界面
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07/13 19:17, , 29F
問一下 HBM不行嗎?
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07/13 19:18, , 30F
INTEL也是前科累累,看那個RAMBUS
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07/13 19:29, , 31F
不要變成跟Rambus一樣下場就好
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07/13 19:34, , 32F
HBM是要和晶片做在一起,相當於RAM要跟CPU做在一起
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07/13 19:34, , 33F
會有良率(=成本)和擴充性問題
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07/13 19:37, , 34F
賣8700K(128GB記憶體版本)
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07/13 19:37, , 35F
但是在行動市場上 可以試試吧?
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07/13 19:42, , 36F
記得沒錯 應該已經講很久了 但沒一個能打
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07/13 19:44, , 37F
幹嘛浪費錢用HBM在行動裝置上 又沒那個頻寬需求
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手機記憶體頻寬與速度應該不是效能瓶頸,那麼得益的
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07/13 19:47, , 39F
只剩功耗,而手機用的是LPDDR系列,功耗差距更小
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07/13 19:50, , 40F
聽說APPLE強是因為裡面有比它廠更大的sram
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07/13 19:50, , 41F
這樣看來 記憶體對行動裝置還是蠻重要的
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07/13 20:03, , 42F
hbm+cpu是3dic or 2.5d的問題啦 不是同製程做 怎麼
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07/13 20:03, , 43F
封在一起的問題
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07/13 20:36, , 44F
intel的前科還有那個伺服器用的fb-dinn XD
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07/13 20:37, , 45F
dimm
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07/13 21:06, , 46F
就把顆粒換成新的,接腳不變就完美解決了。
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07/13 21:14, , 47F
有個東西叫 hmc 不過好像搞不太起…
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07/13 21:25, , 48F
台廠: 代工請找我!!!
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07/13 21:32, , 49F
代工也是要有獨到功夫的好嘛...
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07/13 22:14, , 50F
勿忘WiMAX
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07/13 23:17, , 51F
RAMBUS 記憶體巴士.........
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07/14 00:14, , 52F
台廠:
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07/14 00:54, , 53F
1987過30年2017才漸漸消費端能夠使用負荷的了 Xpoin
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07/14 00:54, , 54F
t我看要2040年了
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07/14 21:02, , 55F
Intel下一代就要上了,IBM還是洗洗睡
07/14 21:02, 55F
文章代碼(AID): #1NXW-P3R (PC_Shopping)