討論串(共5篇) - [問題] 電子p11.33 - 看板NTUEE110HW

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討論串[問題] 電子p11.33

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Re: [問題] 電子p11.33

推噓0(0推 )留言0則，0人參與作者TsungChenHou (HouHou)時間17年前 (2008/12/14 22:42)資訊

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我想到一個解釋，不知道合不合理：. DRAM提供的40mV讀值，是在還沒有裝上Sense Amp的時候的讀值；. 但若要在DRAM上裝Sense Amp，則必須將DRAM切成兩半，把Sense Amp裝在正中間. 如此一來，被分成一半的Bit line，電容值變成原本的2倍. 但每個Cell提供的電

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Re: [問題] 電子p11.33

推噓5(5推 )留言16則，0人參與作者TsungChenHou (HouHou)時間17年前 (2008/12/14 22:17)資訊

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看的還不是很懂.. 既然Dummy Cell都保持在VDD/2. 那為什麼讀出訊號是40mV/2=20mV呢？. 若Dummy Cell保持在VDD/2的話，啊不就應該要40mV才是正確的讀值嗎？. 請高手解惑...!. --. ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc). ◆ From: 218.

Re: [問題] 電子p11.33

推噓1(1推 )留言3則，0人參與作者ej41i6 (加油喔~~~)時間17年前 (2008/12/12 18:22)資訊

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看了推文之後就好像看懂了 @@. 所以我把想法打一下. 請問大家這樣到底對不對...orz. -----------. latch 剛啟動時 .... |---------------- Vy. | |. |---- |. Vx ----|| ===. |---> |. | |. | gnd. gn

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Re: [問題] 電子p11.33

推噓1(1推 )留言2則，0人參與作者goodword (佳話)時間17年前 (2008/12/11 23:46)資訊

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1. 這裡的case就兩個一個是讀到0 ΔV(0) = -100mV. 另一個是讀到1 ΔV(1) = 40mV 所以是這個比較慢. 但為何還要再除以2 還待高手解答. 2. DDRAM 的 SA 兩端是都是接 B line ，不是B (bar). 所以它一端會有ΔV(0)或ΔV(1)的改變另一

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[問題] 電子p11.33

推噓0(0推 )留言0則，0人參與作者KingSteven (GoGoMavs)時間17年前 (2008/12/11 22:16)資訊

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看不太懂. 1. 解答用worst case是什麼意思?. 2. 2.0V不是differential voltage嗎?這樣一邊不應該是1.0V?. 3. 每個transistor的gm為何是Gm/2?. --. ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc). ◆ From: 125.225.73.

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