Re: [問題] 電子p11.33
我想到一個解釋，不知道合不合理：
DRAM提供的40mV讀值，是在還沒有裝上Sense Amp的時候的讀值；
但若要在DRAM上裝Sense Amp，則必須將DRAM切成兩半，把Sense Amp裝在正中間
如此一來，被分成一半的Bit line，電容值變成原本的2倍
但每個Cell提供的電流不變；
Q=CV，C變成兩倍，所以V就變成原來的1/2
因此40mV變成20mV
不知道這樣解釋正確嗎？
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◆ From: 218.210.20.242
※ 編輯: TsungChenHou 來自: 218.210.20.242 (12/14 22:46)
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