[問題] 積電作業.......

看板NTUEE110HW作者 (KHAKI)時間15年前 (2009/04/03 21:11), 編輯推噓2(2推 0噓 3→)
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Maximum P+ diffusion to nearest N+ pick-up spacing (inside N-Well) is 20um (I/O, RAM, ROM, capacitor and diode are expected) 煩請知道的同學解惑(拜求) -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 140.112.4.235
推
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你的MOS有畫body嗎??? PMOS要用N+畫body在旁邊 反之NMOS也是
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以確保body跟source電位一樣
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歐歐 感謝樓上 不過我的只有綠色勾勾 沒寫0 error
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04/04 10:27, , 4F
(投影片寫的是"0 ERROR IN 0 CHECKS")
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推
04/04 14:09, , 5F
我的也沒有啊
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文章代碼(AID): #19rWiLJA (NTUEE110HW)
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