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討論串[問題] 積電作業.......
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[問題] 積電作業.......
推噓2(2推 0噓 3→)留言5則，0人參與, 最新作者freedom76912 (KHAKI)時間15年前 (2009/04/03 21:11), 編輯資訊
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Maximum P+ diffusion to nearest N+ pick-up spacing (inside N-Well) is 20um. (I/O, RAM, ROM, capacitor and diode are expected). 煩請知道的同學解惑(拜求). --. ※ 發信
#2
Re: [問題] 積電作業.......
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者freedom76912 (KHAKI)時間15年前 (2009/04/04 16:04), 編輯資訊
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以下是助教的回信. 畫PMOS的時候 P difussion畫D,S端 畫完用Pimp框住. N difussion畫B端 用Nimp框住. 最後再用N-well把PMOS全部圍起來 DRC rule才會認得到PMOS. (subtrate本身是P-well 所以NMOS不用另外再圍N-well l
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