[閒聊] Baking二三事
有誤謬之處還請諸位學長指正補充 感恩
MBE Baking升溫過程大致上以壓力不會爆表為基準
記憶中，以前機況比較OK的情況下，會很快的升上80度C。
Baking的第一個大關卡很可能是水氣。接近100度C的時候，壓力會滿高的。
大概維持DEP壓力1~2E-4的狀況下持續升溫。
最終溫度好像是160還是150，忘記了。
此溫度的限制是來自O-ring的耐熱，Si O-ring可耐熱到約220度C。
(主要的三個O-ring：FEL和大氣的鍋蓋、FEL 電梯下緣、Gate valve)
gate valve半開這個是古聖先賢流傳下來的。
以前聖上也有一次要求只開一點點，後來我們維持半開的傳統了。
聖上的觀點是，他認為prep chamber很乾淨，不要讓Dep的髒東西跑到prep.
個人認為prep很乾淨這個先決條件不存在就是了。
外加ion pump近期有點弱。
GSMBE的baking溫控器的TC是接在 FEL 上頭。
除了Baking溫控器之外，也可以觀察 FEL 加熱wafer用的溫控器溫度。
萬一 ion pump 不幸跳掉了，先試著重點。
最不幸的狀況是需要開ion pump屁屁附近的房子殼
先用普通的電錶確認filament 與 機殼是否有正常的open(斷路)。
baking的時候要記得觀察cell的溫度。
有些cell的TC線不穩定沒整理好(非cell filament)或者沒有插穩，cell溫度會跳掉。
另外好像Sb cell在baking的時候會往下掉。這個原因不明，baking結束之後就會回復。
我自己是猜可能某些地方有漏些電。
Baking時間大概是在最高溫度停留約3天。
當然還是以壓力下抽的狀況為依據，經驗上三天就不太抽下去了。
另外有件事情我覺得奇怪，
記憶中diffusion pump的main valve是有受DEP壓力的interlock控制的。
教師節那天interlock應該是鎖住的？(interlock還插在beam gauge controller)
但是main valve似乎是可以順利開啟？再麻煩水鬼們確認了。
感恩
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