Re: [問題] PDMS翻膜線寬180nm的光柵形結構
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: ◆ From: 174.54.69.214
: 推 tengyuan:感謝大大，我在SEM看不到有倒下的痕跡，也沒有不平的痕跡 05/10 17:51
: → tengyuan:如果我放在室溫下讓他固化，脫模的時候是不是很容易弄斷? 05/10 17:52
(抱歉不太會用推文回一大段，讓我再佔用一下版面)
如前文所說的固化溫度或影響其彈性係數與硬度(有文獻可查)，至於其會不會斷裂
可能要請tengyuan自行判斷，考量其
aspect ratio/hardness/Young's modulus/Van der Waals Force (nano-scale)
所造成的機械特性差異，也有文獻討論過。
然而回到最根本的問題，原PO的PDMS到底有沒有成功灌注進入模內??
首先原PO指出1. 母模可以看出繞射圖案=>表示母模有製作成功
2. 脫模後的PDMS上有印子=>有(部分?)灌注
3. PDMS上看不出繞射==>留下待會討論
還是建議tengyuan取得母模深度資料，否則以下討論也只是瞎子摸象：
1. 根據繞射公式ndsinθ=mλ，(n:refractive index,
d:period,
θ:diffraction angle,
m:diffraction order,
λ:diffraction wavelength for m-th order )
因為不知道深度所以僅用以上簡易繞射公式，無法知道其繞射效率(diffraction
efficiency)
母模週期是d=360nm，Si折射率約為n~4 (等效週期nd=1440nm)，所以隨著觀看角度不同
母模應可以呈現紫色到紅色的變化(即使深度僅為~100nm)。
然而對於PDMS而言，n~1.4，等效週期僅為~500nm (或更小)，所以即使觀測角度很大，
也頂多是看到藍紫色，且由於深度未知所以無法判斷其繞射效率，如深度僅為100nm，
那普通光源應是無法觀察，看到的樣子就會如原PO說的"有印子但無繞射"。
如果有印子話還是建議原PO再花點時間看SEM，因為charging的關係可能要多試試不同
的設定，如電壓太低可能無法成像，電壓太高會有嚴重的charging，甚至會打壞結構，
另外也可以使用不同的模式，如secondary electron detector/the in-lens detector
，同時也可切開母模看剖面(也有可能PDMS斷在裡面)。
就我個人而言，現有的實驗結果我會先儘量觀察，以找出改進的方法(如:倒了、斷掉、
部分灌入、還是根本沒進去?)，而不是再貿然更動實驗參數增加變因。
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◆ From: 174.54.69.214
推
05/13 12:29, , 1F
05/13 12:29, 1F
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