Re: [閒聊] 快充技術為何是提高電壓而非電流?

看板MobileComm作者 (f50903)時間10年前 (2015/08/17 01:54), 編輯推噓-1(8913)
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※ 引述《fbi0072004 (徵水龍使UID 271651536)》之銘言: : 高通Quick Charge 2.0快充技術 : 能夠快速充電的原理主要是提高電壓 : 分別有9V/12V : 所以在相同的電流下,更高的電壓有更高的功率 : 可是小弟好奇為何快速充電的技術,要選擇提高電壓而非提高電流呢? : 只要給更高的電流例如3A、5A、10A : 不是也可以快速的充電還不必更改標準的5V電壓? : 這樣做是有什麼原因嗎? 一堆文組真可憐 快充一開始是提高電流沒錯 一樣5v 一代快充把電流從1.x加到2A 但如果要再提升充電效率 micro usb無法承受更高的電流 於是提高電壓變成勢在必行的 之所以提高電壓能加快充電速度 都在P=IV的公式中 你要提升P這個功率 就要從I或V著手 然後為什麼電流太高micro usb會受不了 你把那個接頭想像成一個電器 電流越大時由於P=I平方R 假如電流提升2倍 發熱就會是4倍 結論,為什麼發電廠要升壓來輸電? 就是這個原理,跟快充變9V一樣 請不要繼續傳播不實的謠言 ----- Sent from JPTT on my LGE LG-D838. -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 223.136.74.21 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/MobileComm/M.1439747660.A.1FA.html

08/17 01:59, , 1F
所以你的論點跟前面大家說的有什麼不一樣嗎?
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oppo的閃充好像是4A喔
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上面推文都說完了 而且還戰文組真的很無聊
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那麼愛戰你應該去八卦版 酸文組不會讓自己顯得優越
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這也不是你想出來的, 科科
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話說,5V的工作電壓可以用標準CMOS,L=500nm
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要耐9V必須用BCD製程,L=1200nm起跳,效率一定差
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電廠用高壓電傳送是因為耗損低...
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用高電壓可以降低USB的線阻損耗,但是.......
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沒必要酸文組吧!
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半夜誰跟你戰阿下次請早
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你說的東西文組也懂……
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08/17 06:38, , 13F
看開頭 還以為要說多深的東西...
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這種程度的電學是國中教的
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低水準(無言),看完還是跟別人說的沒什麼兩樣!
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08/17 06:44, , 16F
很多發問的人其實都是不太愛讀書不喜歡學習 所以連G
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oogle資料都懶,跟什麼組有何關聯?!
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08/17 07:36, , 18F
別這樣 人家國中畢業很開心 想秀一下 ^.<
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國中有教喔
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08/17 08:44, , 20F
引戰失敗
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呃...有說跟沒說一樣
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記得手機晶片會限制充電電流不超過1A,如果提高電壓
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不會被限制嗎?
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08/17 10:49, , 24F
噓第一句
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所以是你發明的嗎
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噓你第一句,其他不想解釋
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08/17 16:22, , 27F
除了第一句是你想出來的,底下哪一段是你自己想的,
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自以為多高端。
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08/17 16:44, , 29F
最好上法院都不用請律師XD
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08/17 20:14, , 30F
推阿 文組玻璃心都碎惹
08/17 20:14, 30F
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