Re: [請益]切割邊射型半導體雷射的問題
最近又遇到一個實驗問題,想跟大家請教
1.我在台灣做雷射製程時沒遇過
不確定是不是因為在台灣時都切較長的cavity length (1-3 mm)
但在新學校,劈裂後想取下時..基板是分開了但常常鄰近的laser bar
上頭的金屬bar卻還是彼此沒分開,取下會彼此拉扯扯掉另一條laser bar的
一部份金屬
這是表示我anneal沒做好?還是是有什麼其他問題呢?該如何改善呢?
2. 我的基板材料是GaAs
在台灣我做P ohmic 是鍍 Ti/Pt/Ti/Au 700A/500A/200A/3000A
anneal 每分鐘升100度 425度 2分鐘 裡頭充氮氣
Ｎ ohmic 是鍍 Au,Ge,Ni合金/Au 1500A/3000A
anneal 每分鐘升100度 385度 2分鐘 裡頭充氮氣
在新學校,由於機器設備限制,我參考畢業學長的論文
基板材料還是GaAs
P ohmic 是鍍 Pd/Zn/Pd/Au 100A/200A/200A/3000A
Ｎ ohmic 是鍍 Ni/Ge/Au/Ti/Au 250A/325A/650A/200A/3000A
anneal 是用充氮氣的箱子裡頭兩個Hot plate
250度 30秒 再400度 1分鐘 再250度 30秒(P和N共做一次)
這幾天學校有找到台RTA的機器
能否煩請有經驗的版友提供我
在GaAs基板
P ohmic Pd/Zn/Pd/Au 100A/200A/200A/3000A
Ｎ ohmic Ni/Ge/Au/Ti/Au 250A/325A/650A/200A/3000A
RTA的溫度和時間,每分鐘升溫速度等參數..金屬厚度的部分若板友有較佳的條件
也煩請分享與提供,感激不盡,謝謝!!
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不再想,不再愛,不再懂,不再繼續
心就像漏水的房間而自己太多的重疊反而模糊
失去的不必再追回,那個刻意塵封的記憶從此沒有遺憾
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推
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