Re: [DRC]density error
※ 引述《WiseWang (鈍石成器)》之銘言：
: 在跑DRC時,往往會出現density error
: 是說你的metal占電路的總面積沒有到正常的比例.
: 這次作業不用考慮這些錯誤.
: 這是因為這種error是在完成整個晶片後才要考慮的問題.
: 因此在完成小小一個block時還不用管這些問題:)
Standard Cell或是小block不必要考慮Density rule,
因為這通常是以面積100um*100um以上的區域為基本
檢查單位.
: 實際上在做晶片時,可以用填金屬的方式滿足area coverage,
: 做一些設定電腦就會幫你把空白的地方填上金屬,
這個動作通常稱為Dummy Metal Fill. 有各種DMF的
pattern, 甚至可以申請這些pattern的專利.
: (但有人覺得旁邊金屬太多,雜散效應會影響到性能(這是電磁學的領域了))
不同的pattern會有不同的效應. 通常在Critical Net/Path
周圍可能會避免做DMF, 以免影響到Timing. 但是不做DMF,
Chip Yield Rate會降低, 所以這是取捨問題.
: 但要滿足area coverage 的原因,我想是和光罩有關.
: 實做時晶片表面填感光劑,上面擺光罩做曝光.
: 有金屬的地方才會在光罩上挖洞.
: 如果這些縫隙挖的不夠多,打在光罩上的光線會反射,
: 影響到原本應該要穿過縫隙打在晶片表面的光,
: 就會影響到曝光結果(產生不可預期的災難?XD).
: 所以才會要求挖空的部分一定要占某個百分比以上.
: 避免上述的情形發生.
: 唬濫完畢m(_ _)m
這倒是唬濫沒錯, Density Rule是為了維持良好的CMP結果, 保持
Metal (especially copper) & Dieletric (especially low-K)
平面的平坦與完整性. 最新的趨勢(below 90nm process)是要捨棄
直接的Density Rule, 改用Model Based Simulation以達到更精確
的結果.
※ 編輯: hancel 來自: 220.136.40.136 (08/31 23:56)
推
09/27 03:32, , 1F
09/27 03:32, 1F
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