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討論串[問題] TN90RF_102A DRC問題
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Re: [問題] TN90RF_102A DRC問題
推噓3(3推 0噓 5→)留言8則，0人參與, 最新作者deathcustom (litron-intl)時間13年前 (2013/01/24 22:12), 編輯資訊
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當你發現DRC很難過的時候. 你可以開始考慮把那些metal layer做成ground/vdd shielding. 也就是將那些layer跟gnd/vdd相連. 同時圍繞"重要的信號線". 如此一來可以大幅降低該條信號線的信號受到其他信號的coupling noise. 同時也把layer密度達
(還有274個字)
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[問題] TN90RF_102A DRC問題
推噓4(4推 0噓 11→)留言15則，0人參與, 最新作者xxxorc (ABC)時間13年前 (2013/01/24 21:56), 編輯資訊
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雖然直接這樣問很蠢. 但想請問關於CIC提供的TN90RF晶片製作，其中的DRC要求較以往來得更嚴格. 我的核心電路的金屬密度要通過DRC遇上蠻大的困難，若是硬要補DUMMY滿可. 能會影響原本的電路特性，想請問有板友也有同樣的困擾嗎?. --. ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc). ◆ F
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