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討論串[請益] 電子學的body effect跟短通道效應的疑問
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[請益] 電子學的body effect跟短通道效應的疑問
推噓3(3推 0噓 11→)留言14則，0人參與, 3年前最新作者me8z7gnk (SONG-SONG)時間3年前 (2020/07/30 13:55), 編輯資訊
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Body effect: 在body施加比S極更低的電壓 空乏區往通道延伸. 空乏區變大 使閥值電壓(Vt)變大. short channel effect:在D極施加高電壓 D極的空乏區變大. 通道變短 使閥值電壓(Vt)變小. 疑問是:兩者空乏區都會變大 通道變短. 一個使Vt變高 一個使Vt變
#2
Re: [請益] 電子學的body effect跟短通道效應的疑問
推噓1(1推 0噓 1→)留言2則，0人參與, 3年前最新作者dd98106 (dd98106)時間3年前 (2020/08/09 11:42), 編輯資訊
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（以NMOS為例）. Body effect：. 可以想成S的電壓較高（相較於SB都解Gnd)，會從通道吸走一些電子，因此G需要吸引更多的電子才能維持反轉通道（Vt上升），所以Vg要更高. short channel effect. 有點類似sat後造成的非線性效應，成因跟DIBL一樣，重點是強調V
(還有66個字)
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