Re: [問題]MOS threshold voltage為什麼跟尺寸有關?

看板Electronics作者 ( )時間7年前 (2016/10/15 13:53), 編輯推噓0(000)
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※ 引述《woko (孤.獨.一.痕)》之銘言: : 如題 : 爬了前面討論串 : 好像只有一篇有說到Vth跟MOS尺寸有關 : (敎科書上的Vth是簡化過的) : 但沒有再深入討論下去 : 請教各位前輩 : 有這方面的文獻可以參考嗎? : 感謝~~~ : p.s. : 看了HSPICE的.lis檔案 : 裡面的不同偏壓以及不同尺寸條件下的Vth : 是依據建立model時的test key所fitting出來的嗎? 從 Vth 的操作型定義來想很直觀 (foundry 實際量測都是 用操作型定義,因為 advanced node 非理想因素太多了。) 最簡單的是 constant current 法,如 Vth_lin, Vth_sat 就是在 linear, saturation 偏壓下對 Id-Vg log scale 切一條 constant current Ith0,對應到的偏壓就是 Vth, 但不同尺寸的 MOSFET 電流不同 (和 W / L 成正比),為了 normalize,所以這個 constant current 會變成 Ith0 * W / L,既然取的定電流會隨尺寸改變,Vth 自然 也就和尺寸有關。 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 73.70.207.25 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1476510821.A.706.html
文章代碼(AID): #1O0SHbS6 (Electronics)
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