討論串[問題]MOS threshold voltage為什麼跟尺寸有關?
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推噓0(0推 0噓 0→)留言0則,0人參與, 最新作者sovereignty ( )時間9年前 (2016/10/15 13:53), 編輯資訊
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從 Vth 的操作型定義來想很直觀 (foundry 實際量測都是. 用操作型定義,因為 advanced node 非理想因素太多了。). 最簡單的是 constant current 法,如 Vth_lin, Vth_sat. 就是在 linear, saturation 偏壓下對 Id-Vg
(還有130個字)

推噓4(4推 0噓 5→)留言9則,0人參與, 最新作者woko (孤.獨.一.痕)時間9年前 (2016/10/15 10:58), 9年前編輯資訊
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如題. 爬了前面討論串. 好像只有一篇有說到Vth跟MOS尺寸有關. (敎科書上的Vth是簡化過的). 但沒有再深入討論下去. 請教各位前輩. 有這方面的文獻可以參考嗎?. 感謝~~~. p.s.. 看了HSPICE的.lis檔案. 裡面的不同偏壓以及不同尺寸條件下的Vth. 是依據建立model時
(還有208個字)
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