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討論串[問題] 載子濃度(霍爾量測vs.C-V量測)
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Re: [問題] 載子濃度(霍爾量測vs.C-V量測)
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者HHChih (阿尼)時間9年前 (2016/06/15 01:37), 編輯資訊
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另外 霍爾量測較不穩定. 以我目前做的CoO薄膜來講. Hall測得concentration約10^18~19. CV measurement 約10^16~17. --. ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 36.230.205.253. ※ 文章網址: https://www
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Re: [問題] 載子濃度(霍爾量測vs.C-V量測)
推噓0(0推 0噓 1→)留言1則，0人參與, 最新作者HHChih (阿尼)時間9年前 (2016/06/15 01:34), 編輯資訊
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霍爾只能量測磁性材料. --. ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 36.230.205.253. ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1465925687.A.6D3.html.
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[問題] 載子濃度(霍爾量測vs.C-V量測)
推噓2(2推 0噓 1→)留言3則，0人參與, 最新作者p94107 (Laikang)時間9年前 (2016/05/19 23:23), 9年前編輯資訊
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各位板上的大大好. 小弟最近在讀半導體物理時. 看到了霍爾量測和C-V量測都可以得到載子濃度. C-V量測是在 PN和MOS的章節知道的. 但是不知道這兩種方式得到的載子濃度有甚麼差異. 或者是兩個量測的元件不同?. 麻煩板上的大大給小弟一點指點. 謝謝!!. --. ※ 發信站: 批踢踢實業坊(p
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