Re: [問題] 電路合成及APR 含SRAM(5/31問題更新)

看板Electronics作者 (阿北)時間10年前 (2015/06/04 16:45), 編輯推噓0(003)
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以backend的角度來看 排除你simulation上都沒有任何問題 我會認為是你script出了問題 用dc合成完之後 所產生的netlist 應該都要包含所有的memory或是其他hard macro 一般來說, script都會先寫好reprot timing的指令 我們會預期clock是ok的 但有的時候會出現不可預期的問題 所以 report_clock 這個指令很重要 因為跟CLK有關的指令 不外乎create clock及false path之類的 這些沒設好 report就會變得很奇怪 你現在遇到這問題 不管是在dc還是soce, 若妳現在是從report timing中覺得clk似乎沒被吃進去 那就是先看tool能不能報出clock的資訊 如果有報得出來 但是report上的路徑沒吃到 那我建議你看一下simulation是不是也這樣 有可能你接得不好 如果報不出來 你去dc合成的環境再報一次report_clock 若dc也報不出來 就是你create_clock點有問題 ※ 引述《hkrist (豆)》之銘言: : 5/31更新 : 目前經過幾位版友的回覆之後,部分問題已經獲得解決。現在依然遇到的最大問題是在 : floorplan的階段將sram及其他cell擺入之後,使用report timing去check wns等資訊時, : 會出現0和N/A的結果,看起來像是沒有吃到clk。在我去觀察接線的時候,發現clk pad是 : 接到一個sram output buffer的output,不知道有沒有版友知道為什麼會發生這樣的情形 : 呢? : ------------------------------------------------------------------------------ : 各位版友好,小弟最近在做電路的合成及APR,主要電路就只是BIST接上SRAM : 大致上的流程都清楚,但是之前做的電路中都沒有包含SRAM的部分 : 所以這次是第一次做有memory在內的電路,我看到只需要將memory compiler產生出的 : lib轉成db並且在一開始連同製程db一起讀入design compiler即可 : 目前我將top module(包含我的電路以及與sram module的接線)讀進dc中 : 不知道為什麼我的電路I/O總共只有18個,但是在dc的block diagram中卻跑出port 19 : 進入下一層的電路中查看後,發現是一個完全懸空的port(有前輩跟我說這是dc的bug) : 請問有沒有可能是哪個部分沒寫好產生的問題,或真的是dc的bug呢? : 另外我的sram有3bit的EMA控制線,從0~7分別會有不同的access time(0是min 7是max) : 但事實上EMA=0~3的access time值才是正常的,4~7的時候access time=999ns : 所以導致我合成後的電路slack都會是-99X,目前是先使用set_case_analysis的指令 : 將EMA的訊號設為011去分析,不知道有沒有其他辦法可以讓dc預設分析的case就是EMA=3 : ------------------------------------------------------------------------------ : APR的部分我是使用SOCE,拿上述合成後的電路來操作時,開始Import都沒有太大的問題 : 但是在進行floorplan時,ratio和utilization的值設為1.6和0.8 : apply之後會變成1.0和0.0X而已,怎麼更改都會停在這個範圍左右 : 接著嘗試直接用auto floorplan將sram的hard macro擺入時,tool似乎是認為我的電路裡 : 並沒有SRAM這個module,所以沒有擺入任何的hard macro,請問這有可能是什麼問題呢? : APR時使用的CHIP.v是將合成後的電路外面再包上一層接了pad : 也就是說我在APR中電路的hierarchy是 : CHIP--top--BIST : | : |-SRAM : 不知道有可能是什麼因素導致tool認為我的電路並沒有SRAM呢? : P.S.因為是BIST接上SRAM電路,所以SRAM吃到的clock是有經過一個MUX選擇 : ------------------------------------------------------------------------------ : 這陣子做過許多嘗試,只將BIST部分拿去合成,之後再使用top將BIST和SRAM相接,最後 : 在包一層CHIP來接pad : 這個做法在APR時可以將SRAM的macro擺入,但是將standardcell也擺入後去report timing : 從結果顯示看來是沒有吃到clock,所有數值都是0和N/A,但是不擺放SRAM只擺cell的時候 : 可以report出那些參數的值,所以我才認為是SRAM的問題,導致後面一連串的錯誤 : 問題敘述有點繁複,但為了正確說明我的情況,還請大家見諒並請知道可能的問題點的前 : 輩不吝指教,先謝謝耐心看完的前輩們。 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 220.128.230.220 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1433407534.A.F2D.html

06/06 11:31, , 1F
謝謝您的回覆,這部分的問題已經解決,我是照著CIC的流程
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去在電路外再接一層Pad,後來發現應該是接法沒寫好,導致A
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06/06 11:31, , 3F
PR時接線亂繞
06/06 11:31, 3F
文章代碼(AID): #1LS10kyj (Electronics)
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