Re: [問題] pre sim 和pro sim差異很大
1. 不是pro sim, 是 post-sim
2. pseudo-resistor model不準 不要相信模擬結果
如果是bias點炸掉 通常的原因都是因為gate漏電的不匹配
我在這篇論文有稍微討論 可以參考
http://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDetails.jsp?tp=&arnumber=6820938
※ 引述《ykuei (YKWang~~)》之銘言：
: 下圖是我的電路圖
: http://miupix.cc/pm-61GQOE
: 架構圖裡面有Pseudo Resistor的MOS尺寸，架構圖上的數字是節點電壓，我跑pre sim的時候外部電源給都正常，但我跑post sim的時候，因為Pseudo Resistor的緣故，導致我OP輸入端與輸出端的電壓準位跑掉，op就無法正常工作
: 於是我就將pseudo用理想電阻取代的話，直流準位則是都沒問題，但就不是我要的performance
: 所以我想問我該如何去做改善?
: 所用的元件都是 T18的3v device
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推
01/30 00:32, , 1F
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