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討論串[問題] pre sim 和pro sim差異很大
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Re: [問題] pre sim 和pro sim差異很大
推噓1(1推 0噓 0→)留言1則，0人參與, 最新作者jamtu (月光下的智慧)時間11年前 (2015/01/30 00:08), 編輯資訊
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1. 不是pro sim, 是 post-sim. 2. pseudo-resistor model不準 不要相信模擬結果. 如果是bias點炸掉 通常的原因都是因為gate漏電的不匹配. 我在這篇論文有稍微討論 可以參考. http://ieeexplore.ieee.org/xpl/articl
#1
[問題] pre sim 和pro sim差異很大
推噓3(3推 0噓 19→)留言22則，0人參與, 最新作者ykuei (YKWang~~)時間11年前 (2015/01/24 03:05), 編輯資訊
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下圖是我的電路圖. http://miupix.cc/pm-61GQOE. 架構圖裡面有Pseudo Resistor的MOS尺寸，架構圖上的數字是節點電壓，我跑pre sim的時候外部電源給都正常，但我跑post sim的時候，因為Pseudo Resistor的緣故，導致我OP輸入端與輸出端的電
(還有66個字)
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