Re: [問題] 類比IC的一些設計問題?
※ 引述《woko (孤.獨.一.痕)》之銘言：
: 因為小弟修的專題必須跟CIC下一顆晶片才算過關,
: 所以想跟版上高手請教一些問題:
: (1)bandgap reference中用來接成diode-connect的寄生PNP可不可以改用
: Nwell/Psubstrate接面或是P+/Nwell的單純diode接面?
: 為什麼我看書上和許多參考文獻都不直接用CMOS中的diode架構呢?
假設沒意外的話，用 P-SUB wafer 是可以用 P+/Nwell 替代 PNP BJT
: (2)電流鏡的基準電流所用到的那個偏壓電阻,我看書上的建議說那個電阻是用外接的,
: 但如果以IC整合度的觀點來看,這個電阻改用主動負載有好處嗎?
: 如果用外接的,一般都是用可變電阻嗎?
電阻通常有±20% 的 variation, 所以你的電路要夠強壯才行...
這也是 Foundry 所提供的 model 有 TT,SS,FF 之類...
否則大家都用 TT 設計就好了
: (3)一樣是電流鏡基準電流源偏壓的問題:我在IC內部有不同電流的需求,
: 目前我的作法是並聯不同數目最小電流單元,
: 再搭配電晶體開關來完成產生多種電流的目的,
: 不知道這種作法是不是正確的?
不同的電流需求，你要改變的只有 mirror 比例
: p.s.因為有一位已經在工作的學長建議我用外接電阻才是較佳的作法,
: 這樣一來不是要外接很多顆可變電阻嗎?
: 麻煩有相關經驗的人能提供一些經驗指導一番,非常感謝!!
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