[問題] SRAM與Flash Memory
各位大大安安
小的有關於SRAM與flash memory的問題需要解惑一下
希望有相關知識的強者可以幫忙一下 Orz
事情是這樣的，在我現階段設計的系統晶片裡面需要低功耗的記憶裝置
寫入的速度很慢約1KHz，讀取的速度較快約為速百KHz，總容量大約是1kbits
(我知道規格很怪異... 系統用途特殊沒辦法)
目前用TSMC 0.18um的製程可以設計出操作供應電源為0.7V，功耗還算頗低的SRAM
本身對於SRAM的了解有一定的基本程度(但也只設計過6T架構)
比方說SNM或者WM之類的參數都能再設計階段納入考量
但是有關於flash memory相關的資訊讓我有點困惑
1.在類似的應用(低讀寫速度,低電壓,低功耗)
Flash memory是否能比SRAM達到更低功耗的效果 (面積沒關係 Orz)
2.在標準CMOS製程(使用CIC提供的TSMC18um製程)中能否實現flash memory的設計
因為還不確定是否該投入心力去看flash memory的資料
所以上來問問有相關知識的強者 謝謝回答 QQ
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