Re: [問題] MOS的一些問題

看板Electronics作者 (東森媒體科技)時間11年前 (2013/04/16 23:25), 編輯推噓1(101)
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※ 引述《iiiikkk (東森媒體科技)》之銘言: : 請問MOS我讓它Vod>Vds>Vdsat, 並且Vgs<Vth : 此時MOS操作在sub-threshold 區 : 若電路是current mirror, 會影響到mismatch嗎(如果我給它W*L很大也沒用嗎)? : 就我所知Vds>Vdsat就會在是saturation (velocity saturation) : 是否一定要將Vds>Vod才安全? 講明白一點就是我設計一個電路LDO用到current mirror, 跑AC 特性(phase margin, dc gain, psrr 等)都正常, 而且run Monte Carlo模擬也顯示current mismatch<1% 但是被學長檢查出來current mirror有幾顆MOS的Vgs<Vth,但是Vds均>Vdsat,Vod > Vds (而且是current mirror裡的diode connected MOS) 學長說這樣會造成mismatch嚴重會有良率問題, 但是就我所知,Vds>Vdsat即表示在saturation區間,為何他說一定要遵守Vds>Vod? 另外Vgs<Vth我google結果有人說的確會造成mismatch較大, 但是我想問若我把W/L用小(W變小, L不變)使Vgs>Vth跟把W*L用大但是Vgs<Vth(差<100mV) 這2者何者的matching較好? -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 61.230.55.228

04/16 23:48, , 1F
不知道您是用甚麼製程?操作在sub-threshold會不會model不太準
04/16 23:48, 1F

04/17 07:01, , 2F
Vdsat在simulator都會定比Vod高 不覺得你敘述有矛盾?
04/17 07:01, 2F
文章代碼(AID): #1HRMreiH (Electronics)
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