Re: [問題] MOS電流電壓關係推導

看板Electronics作者jfsu (水精靈)時間14年前 (2012/02/13 21:08)推噓2(2推 0噓 1→)

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※ 引述《kentano (健坦羅)》之銘言： : 小弟最近剛修到電子學第二學期 : 課本上看到他講得好像很有道理 : 但實在是有一點想不通 : 就是：(以下以NMOS為例) : 在 G 與 B(接地) 所induced 的 n-channel : 其形狀為什麼會因 D to S 的電位差而改變? : 這兩者(G、B) 與 (D、S) 間所產生的電場不是互相垂直的嗎 : 而且在定電位差下，電場也是CONSTANT : 實在不解為何 n-channel 會有階梯狀(梯度)的形狀 : 求各位大大指點 : 謝謝! 如你所述，『在定電位差下，電場也是CONSTANT』，這句描述有個語病。先看看下圖所示: Gate ║ ═════╩═════↑ SiO2 ↓d ─────────── Source - - - - - - - - - - - Drain ←── Id - - Inversion - - -／ - - - - - - - - -／ ──────── Delpetion | | Vx | | ↑ x x+dx │ | | │ | | │▁▂▃▄▅▆▇█▏ └─────────→ x 當你在Drain端加一電壓，假設距離source端在channel的 x 處會有一電壓Vx Id‧dx = μ‧Z‧|Q(x)| ‧ dVx Id:drain端電流 Q:移動電荷(mobile charge) μ:表面電子的移動率對兩邊積分與把Q帶入某關係式(Q = -C(Vg - VFB - 2ψf - ...) ) 你可以獲得 Id = #@$@#$!@$... 上述是推導Id的方式，在此略。我只是想說明，在channel中，雖D to S的電位差一樣，但並非處處等電位 (畢竟，這不是理想的載流導線，它只是感應電荷所形成的通道。) 越靠近Drain端受到的影響越大，所以才會有夾止(pinch-off)發生。 -- 在臺灣，何謂R&D工程師? 1.Reverse and Decap :IC反相工程，去膠，打開封裝，拍照，複製電路佈局。 2.Resign and Die :沒死的就操到辭職，沒辭職的就操到死。 3.Rework and Debug :計畫永遠跟不上變化，變化永遠跟不上老闆的一句話！ 4.Relax and Delay :太過於輕鬆(Relax)，那麼就要有schedule delay的準備！但是外派到大陸的臺灣郎，晚上是R (鴨)陪客戶，白天是D (豬)任人宰割！ -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 203.66.222.12 ※ 編輯: jfsu 來自: 203.66.222.12 (02/13 21:08)

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deathcustom

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kk123

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jfsu

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