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討論串[問題] MOS電流電壓關係推導
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#3
Re: [問題] MOS電流電壓關係推導
推噓2(2推 0噓 1→)留言3則，0人參與, 最新作者jfsu (水精靈)時間14年前 (2012/02/13 21:08), 編輯資訊
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如你所述，『在定電位差下，電場也是CONSTANT』，這句描述有個語病。. 先看看下圖所示:. Gate. ║. ═════╩═════↑. SiO2 ↓d. ───────────. Source - - - - - - - - - - - Drain ←── Id. - - Inversion
(還有648個字)
#2
Re: [問題] MOS電流電壓關係推導
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者leo911759 (旦旦倫)時間14年前 (2012/02/13 01:53), 編輯資訊
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首先，會有n-channel產生，VGS就不會是0電壓。. 所以G接地的情況下，除非是Depletion Mode NMOS，其VTH低於0V。. 不然NMOS是不會有n-channel產生。. 會有n-channel產生是因為，本來為P-type的空乏層轉為N-type。. 此為Strong in
(還有270個字)
#1
[問題] MOS電流電壓關係推導
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者kentano (健坦羅)時間14年前 (2012/02/13 01:28), 編輯資訊
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小弟最近剛修到電子學第二學期. 課本上看到他講得好像很有道理. 但實在是有一點想不通. 就是：(以下以NMOS為例). 在 G 與 B(接地) 所induced 的 n-channel. 其形狀為什麼會因 D to S 的電位差而改變?. 這兩者(G、B) 與 (D、S) 間所產生的電場不是互相垂直
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