[問題] 電子學

看板Electronics作者 (jovi)時間13年前 (2011/07/22 15:19), 編輯推噓2(2推 0噓 13→)
留言15則, 5人參與, 最新討論串9/15 (看更多)
請問電子學第一章 1.P-N順偏時,外加電壓Vd,為什麼擴散電流>漂流電流? P跟N裡面不是都有擴散電流跟漂流電流嘛 2.順偏時,空乏區寬度下降,空間電荷下降,接面電壓下降 接面電場下降,那空乏電容怎摸會上升? 既然電荷下降,電容應該也要下降才對巴 謝謝 -- 看淡自己是般若 http://www.flickr.com/photos/jovi1/ -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 125.231.96.204
推
07/22 15:31, , 1F
順偏時 空乏區的能帶變平緩 此時內建電場變弱
07/22 15:31, 1F
→
07/22 15:32, , 2F
致使擴散能力強過漂移能力
07/22 15:32, 2F
→
07/22 15:33, , 3F
第二題 順偏時 空乏區會變窄 不是變寬 所以空間電荷
07/22 15:33, 3F
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07/22 15:34, , 4F
減少 空乏電容=E*A/d E為permittivity A為面積
07/22 15:34, 4F
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07/22 15:35, , 5F
d為空乏區寬
07/22 15:35, 5F
→
07/22 15:35, , 6F
因為d會縮小 所以空乏電容會變大沒錯
07/22 15:35, 6F
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07/22 15:36, , 7F
通常修過半導體物理 對這裡會更熟
07/22 15:36, 7F
※ 編輯: amei2569 來自: 125.231.96.204 (07/22 16:28)
→
07/22 16:32, , 8F
請問為何不是代Q=V*C 公式 電荷下降電容也下降 謝謝
07/22 16:32, 8F
→
07/22 16:33, , 9F
修正內容了
07/22 16:33, 9F
→
07/22 16:44, , 10F
這裡不是要帶那個公式吧 這是半導體元件耶...
07/22 16:44, 10F
→
07/22 16:46, , 11F
而且電荷有正也有負 不能直接帶Q=V*C 個人淺見
07/22 16:46, 11F
推
07/22 17:13, , 12F
1.P type N type載子不均 克服能階障礙之後因濃度不均所
07/22 17:13, 12F
→
07/22 17:14, , 13F
以具擴散電流，因兩端有電場驅動載子 所以有漂移電流
07/22 17:14, 13F
→
08/13 19:14, , 14F
通常修過半導體物理 對 https://muxiv.com
08/13 19:14, 14F
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09/17 23:08, , 15F
這裡不是要帶那個公式吧 https://daxiv.com
09/17 23:08, 15F
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