Re: [問題] BJT和MOS的在B(G)的偏壓
※ 引述《hadbeen (你在哪)》之銘言：
: BJT的電流公式Ic=Is*e^(Vbe/VT)
: 如果我直接把直流I電流打進C極 E接地
: B極接一個電阻(不要讓B極和地短路)再接地的話
: 由公式逆推得Vbe("如果"bjt流I的話 Vbe應該是如此如此)
: 但B極實際上真的會產生電壓嗎?(還是說這是一種可行的偏壓該BJT的方式?)
: 課本上在講BJT的一般運作時都是 BE接面正偏壓 CB接面逆偏壓
: 在還沒產生這樣的推動載子偏壓條件時(如上直接打直流電流) 也會有Ic或Vbe?
: 一樣的情況看NMOS Id=XXXX*(Vgs-Vt)^2 大概公式長這樣 不考慮通道會縮的情況
: 直接把直流電流I打到D極 B接地 S接地
: G極接一個電容再接地的話 亦可由公式推得Vgs("如果"mos流I的話 Vgs應該是如此如此)
: 但G極實際上真的會產生電壓嗎? 不是要先產生通道才會有Id嗎?
: 通道還沒產生就先打電流給mos mos就會買單嗎?0.0?
: 把值帶到公式裡反推電壓 都是先假設"如果它導通的話"
: 但是實際的電子元件它真的會導通嗎?如果導通的話機制是什麼?
: 由電壓到電流的機制課本有說 但由電流到電壓的機制(如果存在的話)是?
: ps.直流電流I如果打不進去元件的話 會把自己關掉(它是活生生實際的電流源)
理論上，等號左右邊可經由一些互換而重新獲得某些參數。
不過，基於數學形式這樣的想法是沒錯，但你犯了一個邏輯上的錯誤。
Ic=Is*e^(Vbe/VT)的公式是基於BE順偏，CB逆偏而得來。
以你目前所使用的條件，
『如果我直接把直流I電流打進C極，E接地，B極接一個電阻再接地的話』
基本上是不適合使用上述的公式。
當你使用公式去反推時，一定要了解它背後的條件與假設。
ps.最者，這條公式是簡化過的，它最初推導是假設:
1.C、B、E三極的參雜濃度是均勻的；
2.是處在低階注入的狀態(low level injection)；
3.在空間電荷區(spcer charge region)沒有載體復合(re-combination)與產生
(generation)電流；
4.不考慮內部低值的串聯電容。
最後，舉個例:
好比馬英九常說自己看報紙才知道發生某些事，今天，民進黨偷偷地把接進總統府
的電視線拔掉，這樣一來，民進黨認為馬英九就會一無所知。
實際上呢?他還是每天看報紙治國，電視對他而言是沾不上邊。
看報紙 = BE順偏，CB逆偏
治國 = Ic=Is*e^(Vbe/VT)
拔掉電視線 = 直流I電流打進C極，E接地，B極接一個電阻
治國與否? = B極實際上真的會產生電壓嗎?
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在臺灣，何謂R&D工程師?
1.Reverse and Decap :IC反相工程，去膠，打開封裝，拍照，複製電路佈局。
2.Resign and Die :沒死的就操到辭職，沒辭職的就操到死。
3.Rework and Debug :計畫永遠跟不上變化，變化永遠跟不上老闆的一句話!
4.Relax and Delay :太過於輕鬆(Relax)，那麼就會Random Death (隨時陣亡)
但是外派到大陸的臺灣郎，晚上是R (鴨)陪客戶，白天是D (豬)任人宰割!
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07/13 12:53, , 1F
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