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討論串[問題] BJT和MOS的在B(G)的偏壓
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#3
Re: [問題] BJT和MOS的在B(G)的偏壓
推噓1(1推 0噓 0→)留言1則，0人參與, 最新作者jsp0520 (Enzo)時間14年前 (2011/07/13 16:15), 編輯資訊
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理論上是會先讓 Collector-Base junction 發生崩潰, 以容許大電流通過. 通常會有一個觸發的電流值, 如果不到接面就不會崩潰, 電流灌不進去. 假設電流夠大也發生崩潰了, 這個電流程上base端R的跨壓將會turn-on BJT. 使其進入順偏但holding電壓小的狀態. 這
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#2
Re: [問題] BJT和MOS的在B(G)的偏壓
推噓1(1推 0噓 0→)留言1則，0人參與, 最新作者jfsu (水精靈)時間14年前 (2011/07/13 11:22), 編輯資訊
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理論上，等號左右邊可經由一些互換而重新獲得某些參數。. 不過，基於數學形式這樣的想法是沒錯，但你犯了一個邏輯上的錯誤。. Ic=Is*e^(Vbe/VT)的公式是基於BE順偏，CB逆偏而得來。. 以你目前所使用的條件，. 『如果我直接把直流I電流打進C極，E接地，B極接一個電阻再接地的話』. 基本上
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[問題] BJT和MOS的在B(G)的偏壓
推噓1(1推 0噓 0→)留言1則，0人參與, 最新作者hadbeen (你在哪)時間14年前 (2011/07/13 01:36), 編輯資訊
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BJT的電流公式Ic=Is*e^(Vbe/VT). 如果我直接把直流I電流打進C極 E接地. B極接一個電阻(不要讓B極和地短路)再接地的話. 由公式逆推得Vbe("如果"bjt流I的話 Vbe應該是如此如此). 但B極實際上真的會產生電壓嗎?(還是說這是一種可行的偏壓該BJT的方式?). 課本上在
(還有418個字)
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