[問題] mosFET的問題

看板Electronics作者wrt (一片小蛋糕)時間15年前 (2010/11/14 20:41)推噓5(5推 0噓 2→)

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1. body effect 為何在body端加一個負電壓會使Vt上升如果在body加負電壓電子應該會被排斥到oxide接觸面使得Vt需要吸引得電子變少才對啊 (因為body的負電已經排上去很多電子了) 所以Vt應該要下降才是啊使得Vt需要吸引得電子變少才對啊 (因為body的負電已經排上去很多電子了) (因為body的負電已經排上去很多電子了) 所以Vt應該要下降才是啊為何是上升呢? 2.short channel effect 和 channel length modulation 這兩個是在說一樣的東西嗎?? 前者是在說VD電壓上升使Vt變小後者在說在飽和時 VD電壓上升電流還是會些微變大這兩個我怎麼看都是在說一樣的東西啊只是一個是非飽和一個是飽和狀態下電流變大不就是等於Vt下降嗎? 觀念有點不清楚請高人解答感謝 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 220.135.174.152

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Williamette

11/14 21:16, , 1^F

11/14 21:16, 1^F

課本上寫body加負電壓 Vt會變大@@

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stevegood

11/14 22:27, , 2^F

11/14 22:27, 2^F

※ 編輯: wrt 來自: 220.135.174.152 (11/14 23:25)

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joy830