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討論串[問題] mosFET的問題
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Re: [問題] mosFET的問題
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者sovereignty ( )時間15年前 (2010/11/15 01:58), 編輯資訊
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(以 nMOS 討論). 第一個重要觀念是 inversion charge (electron) 是從 S/D 提供的. 然後 Vt 增加減少要從半導體元件物理的公式來看. (用物理畫面想也可以，但有時會漏掉一些東西). Vt (threshold voltage) (定義為 strong inv
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[問題] mosFET的問題
推噓5(5推 0噓 2→)留言7則，0人參與, 最新作者wrt (一片小蛋糕)時間15年前 (2010/11/14 20:41), 編輯資訊
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1. body effect. 為何在body端加一個負電壓 會使Vt上升. 如果在body加負電壓 電子應該會被排斥到oxide接觸面. 使得Vt需要吸引得電子變少才對啊. (因為body的負電已經排上去很多電子了). 所以Vt應該要下降才是啊. 使得Vt需要吸引得電子變少才對啊. (因為body
(還有318個字)
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