Re: [問題] EEPROM's Cell
※ 引述《DrBlackJack (怪醫黑傑克)》之銘言：
: 請問一下
: 關於EEPROM的Cell設計
: 其Cell在寫入的部份是有其壽命限制
: 那麼假設在Cell其壽命終止後，再持續對這個Cell做寫入的動作
: 是否會影響其它Cell的Data？
: 例如因為一直寫入，在這壽命終止的cell上一直累積電荷
: 而這些電荷漏電至其它cell上，導致其它cell的data被影響？
: 若這樣的情況成立，那麼這是否可歸類為EEPROM設計不良？
: 不知EEPROM在設計上的規範是否有提到類似這樣的情況？
這不是設計不良，應該說是cell本身的元件特性，因為你每一次的
寫入(program/erase)就是一種對其氧化層的stress。
Cell的壽命，或者應該說是EEPROM有兩個特色是跟壽命有關
一個是data retention，另一個是P/E cycle。
依你說的，應該是屬於P/E cycle。一旦過了這段期間，cell其實還是可以寫入(P/E)
只是寫成'0'的資料容易流失，要抹除成'1'需要更花時間。
一般而言，同樣的製程下，該cell array上的每一個cell特性應該是略同的。
如果有幾個特別容易漏電(BL or WL short)，那我們會去做repair的動作
再不行，那就只能刷掉了。
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在臺灣，何謂R&D工程師?
1.Reverse and Decap :IC反相工程，去膠，打開封裝，拍照，複製電路佈局。
2.Resign and Die :沒死的就操到辭職，沒辭職的就操到死。
3.Rework and Debug :計畫永遠跟不上變化，變化永遠跟不上老闆的一句話!
4.Relax and Delay :太過於輕鬆(Relax)，那麼就會Random Death (隨時陣亡)
但是外派到大陸的臺彎郎，晚上是R (鴨)陪客戶，白天是D (豬)任人宰割!
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