討論串[問題] EEPROM's Cell
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推噓0(0推 0噓 0→)留言0則,0人參與, 最新作者jfsu (水精靈)時間16年前 (2010/04/09 15:41), 編輯資訊
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這不是設計不良,應該說是cell本身的元件特性,因為你每一次的. 寫入(program/erase)就是一種對其氧化層的stress。. Cell的壽命,或者應該說是EEPROM有兩個特色是跟壽命有關. 一個是data retention,另一個是P/E cycle。. 依你說的,應該是屬於P/E
(還有384個字)

推噓0(0推 0噓 0→)留言0則,0人參與, 最新作者DrBlackJack (怪醫黑傑克)時間16年前 (2010/04/09 15:01), 編輯資訊
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請問一下. 關於EEPROM的Cell設計. 其Cell在寫入的部份是有其壽命限制. 那麼假設在Cell其壽命終止後,再持續對這個Cell做寫入的動作. 是否會影響其它Cell的Data?. 例如因為一直寫入,在這壽命終止的cell上一直累積電荷. 而這些電荷漏電至其它cell上,導致其它cell的
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