Re: [問題] MOS的Body effect
※ 引述《andy2007 (...)》之銘言：
: MOS電晶體裡面有 Body effect 這個效應
: 裡面有個公式：
: _________ ___
: Vtn = Vto + γ( √Vsb + 2ψ - √2ψ )
: 由維基百科知道的：http://en.wikipedia.org/wiki/MOSFET
: 上課用的Razavi - Design of Analog CMOS Integrated Circuit 課本也常提到，
: 請問這個公式是怎麼推導過來的呢？有什麼書目是有講解推導的？
: Google上面也查不太到啊...
: 麻煩各位前輩們幫忙了，謝謝前輩們。<(_ _)>
對n-channel的MOSFET而言， _______
在空乏區的單位面積電荷 Qd = -2√εqNqψ (ψ應該為 ψF, F為下標。)
(ε應該為 εs, s為下標。)
如果在substrate與source有電壓VB(在n-channel為負值)存在，此時空乏區會變大
______________
新的Qd' = -√2εqNq(2ψ-VB)
又Vt = -Qd/Ci + 2ψ
ΔVth = Vt' - Vto
= -(Qd'-Qd)/C (ψ消去)
______________ _______
= -(-√2εqNq(2ψ-VB) + 2√εqNqψ )/Ci
______ ________ ___
=(√2εqNq / Ci) *〔√(2ψ-VB) -√2ψ 〕 (提出共同項)
_________ ___
對比到原po的公式， Vtn = Vto + γ( √Vsb + 2ψ - √2ψ )
______
Vtn =-Vto = ΔVth, γ = (√2εqNq / Ci), Vsb = -VB
如果VB >> 2ψ(典型值約0.6V)，那
______ ____
ΔVth～(√2εqNa / Ci) *〔√-VB)〕 (n-channel)
___
ΔVth～(√2εqNd / Ci) *〔√VB)〕 (p-channel)
物理意義就是當存有VB時，Vth是會增加。
--
「君知刻酷之積怨，不知忠厚亦能積怨也。夫煢煢孱弱，慘被人戕，就死之時，楚毒萬狀
。孤魂飲泣，銜恨九泉，惟望強暴就誅，一申積憤。而君但見生者之可憫，不見死者之可
悲，刀筆舞文，曲相開脫，遂使兇殘漏網，白骨沉冤。君試設身處地，如君無罪無辜，受
人屠割，魂魄有知，旁觀讞是獄者，改重傷為輕，改多傷為少，改理曲為理直，改有心為
無心，使君切齒之仇，從容脫械，仍縱橫於人世，君感乎怨乎？不是之思，而詡詡以縱惡
為陰功，被枉死者，不仇君而仇誰乎？」
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 203.66.222.12
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