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討論串[問題] MOS的Body effect
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#2
Re: [問題] MOS的Body effect
推噓12(12推 0噓 9→)留言21則，0人參與, 7年前最新作者jfsu (水精靈)時間16年前 (2010/03/15 19:14), 編輯資訊
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對n-channel的MOSFET而言， _______. 在空乏區的單位面積電荷 Qd = -2√εqNqψ (ψ應該為 ψF, F為下標。). (ε應該為 εs, s為下標。). 如果在substrate與source有電壓VB(在n-channel為負值)存在，此時空乏區會變大. ______
(還有729個字)
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[問題] MOS的Body effect
推噓1(1推 0噓 1→)留言2則，0人參與, 最新作者andy2007 (...)時間16年前 (2010/03/15 16:48), 編輯資訊
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MOS電晶體裡面有 Body effect 這個效應. 裡面有個公式：. _________ ___. Vtn = Vto + γ( √Vsb + 2ψ - √2ψ ). 由維基百科知道的：http://en.wikipedia.org/wiki/MOSFET. 上課用的Razavi - Desig
(還有20個字)
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