Re: [問題] 矽晶片方向性
: 作者: bor0306 (博) 看板: comm_and_RF
: 標題: [問題] 矽晶片方向性
: 時間: Thu Sep 24 13:58:12 2009
: 想請問一下大大，
: 老師有問一個問題，
: 目前BJT和MOS用的矽晶片，他們是不是有各自常用的矽晶片種類呢?
: BJT常用方向(111)的P-TYPE矽晶片
: MOS常用方向(100)的P-TYPE的矽晶片???
: 想請問一下大大，這是為什麼呢???
: 或是有沒有相關的網站或網頁可以提供參考呢~
: 謝謝大家^^
怎麼這問題常常被提出來問，該不會是同個老師...^_^!
我們先來說說為何BJT要用(111)的做，而MOS要用(100)。
這部份主要是考慮到，在蝕刻與離子佈值時對元件特性的問題。
之所以BJT 製造於(111)wafer上，是因為過去使用擴散或離子佈值(Ion Implant)的
方式將 Emitter與Base layers垂直的將dopant參入。依此方法若使用(100) wafer時，
dopant會經由(100)面中的通道(channel) 加速擴散滲入，使得每層layer的深度不均，
(甚至有Emitter和Collector相連的現象)，導致元件通通都死掉。
而(111)wafer從上往下看，晶體結構中沒有如(100)的channel，所以擴散或用ion
implant的dopant深度均勻且易控制，不過，現在用磊晶(epitaxy)後，可能就不同了。
再者，MOS製作於(100)wafer上是為了讓gate oxide 有較好的品質。若使用(111)wafer
由於表面矽的接腳較多支，而氧接上去後，表面或氧化層仍會殘留有許多懸鍵(dangling
bonds)，做成元件後，這些地方則成了氧化態(oxide state)或是所謂的表面態(surface
state)，載子一經過就被捉住，陷在裡面出不白，結果元件特性就變差了。
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