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討論串[問題] 矽晶片方向性
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Re: [問題] 矽晶片方向性
推噓2(2推 0噓 0→)留言2則，0人參與, 最新作者jfsu (水精靈)時間16年前 (2009/09/24 15:00), 編輯資訊
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怎麼這問題常常被提出來問，該不會是同個老師...^_^!. 我們先來說說為何BJT要用(111)的做，而MOS要用(100)。. 這部份主要是考慮到，在蝕刻與離子佈值時對元件特性的問題。. 之所以BJT 製造於(111)wafer上，是因為過去使用擴散或離子佈值(Ion Implant)的. 方式將
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[問題] 矽晶片方向性
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者bor0306 (博)時間16年前 (2009/09/24 14:01), 編輯資訊
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※ [本文轉錄自 comm_and_RF 看板]. 作者: bor0306 (博) 看板: comm_and_RF. 標題: [問題] 矽晶片方向性. 時間: Thu Sep 24 13:58:12 2009. 想請問一下大大，. 老師有問一個問題，. 目前BJT和MOS用的矽晶片，他們是不是有各自
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