Re: [問題] MOSFET 空乏型-N通道 工作原理疑問?
※ 引述《t8810039 (其實我想當壞人)》之銘言:
: MOSFET 空乏型 N通道
: 在一本高職參考書上看到這段,
: 看不懂
: 當閘極電壓為負時,在通道內感應出正電荷,
: 正電荷會抵消原N通道.
: 註:源極為參考點.
: 在通道內感應出正電荷 這句看不懂.
這個跟半導體物理有關
因為MOS操作在 Inversion regime (強反轉區)
導致bandgap (能帶) 被彎曲
所以使的Minority (少數載子)會聚集在通道 XD
--
詳細的內容可以參考看看Neeman的Semiconductor Physics & Devices.
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 59.115.171.35
→
09/13 17:18, , 1F
09/13 17:18, 1F
推
09/13 19:05, , 2F
09/13 19:05, 2F
推
09/13 22:54, , 3F
09/13 22:54, 3F
→
09/13 22:54, , 4F
09/13 22:54, 4F
討論串 (同標題文章)
本文引述了以下文章的的內容:
完整討論串 (本文為第 2 之 3 篇):