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討論串[問題] MOSFET 空乏型-N通道 工作原理疑問?
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#3
Re: [問題] MOSFET 空乏型-N通道 工作原理疑問?
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者kevein (gisan)時間17年前 (2008/09/15 23:15), 編輯資訊
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N型半導體中電子為多數載子. 在閘極負電壓會吸引基材中的電洞進入通道中. 電子與電洞中和通道無可移動的電子. 故MOSFET截止. --. ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc). ◆ From: 61.217.225.135.
#2
Re: [問題] MOSFET 空乏型-N通道 工作原理疑問?
推噓2(2推 0噓 2→)留言4則，0人參與, 最新作者paullai (保羅)時間17年前 (2008/09/13 13:59), 編輯資訊
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這個跟半導體物理有關. 因為MOS操作在 Inversion regime (強反轉區). 導致bandgap (能帶) 被彎曲. 所以使的Minority (少數載子)會聚集在通道 XD. --. 詳細的內容可以參考看看Neeman的Semiconductor Physics & Devices.
#1
[問題] MOSFET 空乏型-N通道 工作原理疑問?
推噓0(0推 0噓 2→)留言2則，0人參與, 最新作者t8810039 (其實我想當壞人)時間17年前 (2008/09/13 12:20), 編輯資訊
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MOSFET 空乏型 N通道. 在一本高職參考書上看到這段,. 看不懂. 當閘極電壓為負時,在通道內感應出正電荷,. 正電荷會抵消原N通道.. 註:源極為參考點.. 在通道內感應出正電荷 這句看不懂.. ※ 編輯: t8810039 來自: 219.70.209.71 (09/13 12:25).
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