Re: [問題] 有關 MOS WAFER 晶向問題
※ 引述《d813235 (黑仔)》之銘言：
: 一般常看到的Wafer很像大都是(100)的晶向，有聽老師說過
: 很像(100)的腐蝕高過(111)，但只提到一點點
: 我在想是不是還有其他原因
: 不知道有沒有人知道這個資料呢 謝謝
我們先來說說為何BJT要用(111)的做，而MOS要用(100)。
這部份主要是考慮到，在蝕刻與離子佈值時對元件特性的問題。
之所以BJT 製造於(111)wafer上，是因為過去使用擴散或離子佈值(Ion Implant)的
方式將 Emitter與Base layers垂直的將dopant參入。依此方法若使用(100) wafer時，
dopant會經由(100)面中的通道(channel) 加速擴散滲入，使得每層layer的深度不均，
(甚至有Emitter和Collector相連的現象)，導致元件通通都死掉。
而(111)wafer從上往下看，晶體結構中沒有如(100)的channel，所以擴散或用ion
implant的dopant深度均勻且易控制，不過，現在用磊晶(epitaxy)後，可能就不同了。
再者，MOS製作於(100)wafer上是為了讓gate oxide 有較好的品質。若使用(111)wafer
由於表面矽的接腳較多支，而氧接上去後，表面或氧化層仍會殘留有許多懸鍵(dangling
bonds)，做成元件後，這些地方則成了氧化態(oxide state)或是所謂的表面態(surface
state)，載子一經過就被捉住，陷在裡面出不白，結果元件特性就變差了。
至於你的蝕刻問題，小弟先不講，你可以去翻閱一下製程的書，或是搜索關鍵字
"橫向蝕刻" or "縱向蝕刻(vertical etching)"或是"非等向性蝕刻"這類的字，
另外，這也跟蝕刻速率有關。
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