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討論串[問題] 有關 MOS WAFER 晶向問題
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Re: [問題] 有關 MOS WAFER 晶向問題
推噓1(1推 0噓 0→)留言1則，0人參與, 最新作者jfsu (水精靈)時間17年前 (2008/06/02 19:01), 編輯資訊
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我們先來說說為何BJT要用(111)的做，而MOS要用(100)。. 這部份主要是考慮到，在蝕刻與離子佈值時對元件特性的問題。. 之所以BJT 製造於(111)wafer上，是因為過去使用擴散或離子佈值(Ion Implant)的. 方式將 Emitter與Base layers垂直的將dopant
(還有651個字)
#1
[問題] 有關 MOS WAFER 晶向問題
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者d813235 (黑仔)時間17年前 (2008/06/01 20:41), 編輯資訊
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一般常看到的Wafer很像大都是(100)的晶向，有聽老師說過. 很像(100)的腐蝕高過(111)，但只提到一點點. 我在想是不是還有其他原因. 不知道有沒有人知道這個資料呢 謝謝. --. ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc). ◆ From: 140.125.31.75.
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