Re: [轉錄][轉錄]科學家設計出全新記憶電子元件

看板Electronics作者 (體脂肪35%)時間17年前 (2008/05/03 20:15), 編輯推噓5(505)
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http://www.eetimes.com/news/semi/showArticle.jhtml?articleID=207403521&pgno=1 看一下英文原文就知道重點在哪裡了 他的論述是 目前為止 電子學使用Voltage與Charge(電荷)來當作最基本的變數 但是卻因此把自己在「是否為基本(或線性)原件」這方面上限制住 沒辦法解釋很多行為 所以應該使用change-in-voltage(flux(通量))與Charge來當作最基本的變數才對 這情況類比於當初牛頓宣稱 「施力與加速度有關係 而非與速度有關係」 的狀況一樣 所以不僅僅是一項發明 而是將為人類科學發展史展開全新的思維(他自己說的拉!) ... 不過 因為我不懂他這邊flux的意思 所以沒辦法進一步幫各位解釋 麻煩真正厲害的大大捕完 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 69.134.206.248

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B and D?
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以後要先修電磁才能修電路了 XD
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inductor 不是就跟磁場有關係?
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我這篇有提到磁場跟電感嗎?
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有提到電荷 通量
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總感覺這個兩三年前有看過
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通量也有分磁通量和電通量阿 電通量單位是庫倫
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所以電通量的時變率 可以有電流的效果
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剛剛重看一次eetimes原文 發現還是不懂到底change-in-voltage是怎麼用的 ※ 編輯: pow 來自: 152.14.55.218 (05/05 03:02)

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EET那篇廢話太多 這篇比較好懂 http://0rz.tw/c843M
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這個最屌的地方在於scale越小"gain"越高 看來摩耳定律還有得玩
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文章代碼(AID): #1875TJ_1 (Electronics)
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